上海某某半導體有限澳門英皇手機版激光晶體和單晶硅申請報告及節能評估

  大尺寸YAG激光晶體技術改造項目,位于松江區石湖蕩鎮,規劃建設總用地面積為16,135平方米,總建筑面積為3,000平方米。項目一旦完成,將可以有效的解決中國YAG晶體生長的問題,推動我國激光晶體行業發展。尤其是對于我市激光行業的發展起到重要的促進作用,目前國內YAG激光晶體主要集中在成都、福州、武漢等地,上海卻未見規模化生產YAG晶體的企業,主要是部分科研院校。
  根據國家和上海市有關建筑合理用能的標準,結合本項目種類建筑的性質、功能用途和使用條件,經綜合計算,年用能規模為水0.02萬立方米、電力203.56萬千瓦時,節能效果理想。各種能源折標準煤系數,電力按3.0(噸標準煤/萬千瓦時)折標系數,新水按0.86(噸標準煤/萬立方米)折標系數,項目折算年綜合能耗為610.71噸標煤。
  極大規模集成電路用單晶硅晶體生長爐研制項目,規劃建設用地總面積為1,000平方米,總建筑面積為3,000平方米。項目主要用于研制極大規模集成電路用單晶硅晶體生長爐,用于生長制造8-12英寸單晶硅片的晶體生長爐, 通過自主研發,掌握極大規模集成電路用單晶硅晶體生長爐制造的自有知識產權, 建設極大規模集成電路用單晶硅晶體生長爐制造生產線等。經綜合計算,年用能規模為水0.02萬立方米、電力39.75萬千瓦時,節能效果理想。各種能源折標準煤系數,電力按3(噸標準煤/萬千瓦時)折標系數,新水按0.86(噸標準煤/萬立方米)折標系數,項目折算年綜合能耗為119.27噸標煤。
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